- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录518 > SQM110N04-02L-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 40V TO263
Package Information
www.vishay.com
TO-263 (D 2 PAK): 3-LEAD
-B-
Vishay Siliconix
E
-A-
A
c2
E1
K
6
E3
A
A
e
b2
b
Detail “A”
c
E2
0.010 M A M
2 PL
INCHES
MILLIMETERS
DIM.
A
MIN.
0.160
MAX.
0.190
MIN.
4.064
MAX.
4.826
L1
b
b1
0.020
0.020
0.039
0.035
0.508
0.508
0.990
0.889
DETAIL A (ROTATED 90°)
b
b1
S ECTION A-A
c*
c1
b2
Thin lead
Thick lead
Thin lead
Thick lead
c2
D
D1
D2
D3
D4
E
E1
E2
E3
0.045
0.013
0.023
0.013
0.023
0.045
0.340
0.220
0.038
0.045
0.044
0.380
0.245
0.355
0.072
0.055
0.018
0.028
0.017
0.027
0.055
0.380
0.240
0.042
0.055
0.052
0.410
-
0.375
0.078
1.143
0.330
0.584
0.330
0.584
1.143
8.636
5.588
0.965
1.143
1.118
9.652
6.223
9.017
1.829
1.397
0.457
0.711
0.431
0.685
1.397
9.652
6.096
1.067
1.397
1.321
10.414
-
9.525
1.981
e
0.100 BSC
2.54 BSC
K
0.045
0.055
1.143
1.397
Notes
1. Plane B includes maximum features of heat sink tab and plastic.
L
L1
0.575
0.090
0.625
0.110
14.605
2.286
15.875
2.794
2. No more than 25 % of L1 can fall above seating plane by
max. 8 mils.
3. Pin-to-pin coplanarity max. 4 mils.
4. *: Thin lead is for SUB, SYB.
L2
L3
L4
0.040 0.055
0.050 0.070
0.010 BSC
1.016 1.397
1.270 1.778
0.254 BSC
Thick lead is for SUM, SYM, SQM.
M
-
0.002
-
0.050
5. Use inches as the primary measurement.
6. This feature is for thick lead.
ECN: T13-0707-Rev. K, 30-Sep-13
DWG: 5843
Revison: 30-Sep-13
1
Document Number: 71198
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
SQM110N04-03L-GE3
MOSFET N-CH D-S 40V TO263
SQM110N06-04L-GE3
MOSFET N-CH D-S 60V TO263
SQM40N10-30-GE3
MOSFET N-CH D-S 100V TO263
SQM85N03-06P-GE3
MOSFET N-CH D-S 30V TO263
SQR50N03-06P-GE3
MOSFET N-CH D-S 30V TO263
SQS400EN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 16A TO263
SQS401EN-T1-GE3
MOSFET P-CH D-S 40V PPAK 1212-8
SSA-LXB102GD
LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP GRN
相关代理商/技术参数
SQM110N04-03-GE3
功能描述:MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQM110N04-03L-GE3
功能描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SQM110N04-04-GE3
功能描述:MOSFET 40V 120A 250W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQM110N05-06L-GE3
功能描述:MOSFET 55V 110A 158W 6.0mohm @ 10V
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQM110N06-04L-GE3
功能描述:MOSFET 60V 120A 437.5W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQM110N06-06-GE3
功能描述:MOSFET 60V 120A 230W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQM110N08-05-GE3
功能描述:MOSFET N-CH D-S 75V TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SQM110N10-09-GE3
功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件